近日美国西北大学科学家研发了一种新的石墨烯氧化法，可在不损害石墨烯薄膜晶格结构的情况下完成氧化过程。该项研究成果刊登在最近一期的《自然化学》杂志上，它为今后制造出更快速、更轻薄的电子产品提供了很大的可能性。

　　据英国《每日邮报》网站2月20日报道，与常被应用在电子产品中的硅相比，石墨烯的导电性更强，是电子产品研发人员很想采用的材料，不过目前科学界存在着一个很难攻克的难题——自由调控石墨烯的电子性能，也就是可以随时断开通过石墨烯的电流。为此，很多科学家都在研发检测各种能够改变该材料的化学方法。截至目前，最普遍的是上世纪40年发的一种被称为“赫默斯方法”（Hummers method）的氧化法，但该方法采用的强酸环境会对石墨烯晶格造成不可逆的损害。

　　近日西北大学麦考密克工程及应用科学学院的研究人员研发了一种新方法，可在不破坏石墨烯晶格的情况下完成氧化，调整了该材料的电子性能，使之更具可控性，并且这一氧化过程是可逆的，这意味着如果氧化效果不令人满意，可以进一步调节。“实验结果显示石墨烯氧化物从化学层面看与石墨烯还是同质的，氧化过程具有可逆性，适用于高性能软件的开发，”该学院教授马克·赫尔萨姆（Mark C. Hersam）说。

　　在实验过程中，研究人员将氧气泄入一个超真空房间﹐把房间内钨丝加热到1500摄氏度，遇到高温下的钨丝后，氧分子分解成氧原子。随后，高活性的氧原子插入到石墨烯薄膜晶格中。光谱测量显示，随着氧原子的覆盖，石墨烯的电子性能也随之改变，这表明该方法可以调整基于石墨烯设备的电子性能。

　　赫尔萨姆说：“目前尚不清楚这项成果将给现实世界中的应用带来怎样的影响，但显然它是朝着正确的方向迈出了一步。”接下来，研究人员将继续探索改变石墨烯性能的其他化学方法。